Транзистор в качестве диода?

[catBot]

Добрый день!

Много где встречаются транзисторы, КБ-переход которых используется в качестве диода.
Например, тут, Q10 и Q13.

Зачем и почему транзистор, а не диод?
Ладно бы, это была схема операционного усилителя в интегральном исполнении, где всё равно, или транзистор даже проще диода. Но в устройстве "на рассыпухе" такое тоже встречается...

Пожалуйста, объясните.
Заранее - спасибо!

[electroget]

catBot,
Для того чтоб параметры всех p-n переходов в схеме были одинаковыми. Это обеспечивает точность работы схемы.

[Express]

Q13 с дифф. каскадом как завязан?

[catBot]

[uquote="electroget",url="/forum/viewtopic.php?p=4296630#p4296630"]catBot,
Для того чтоб параметры всех p-n переходов в схеме были одинаковыми.[/uquote]
Хммм...
Но там же есть и "обычные" диоды, включенные последовательно с КБ-переходами.
Почему такое разнообразие?

[electroget]

catBot,
Транзисторы использованы в качестве диодов там, где идентичность параметров имеет принципиальное значение.

[Express]

А у Q12 коллектор и базу зачем через него связывать?

[musor]

хрень диооды ставят в силе это дешевле а иногда конструктивно транзюк удолбнее

[catBot]

[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4296641#p4296641"]А у Q12 коллектор и базу зачем через него связывать?[/uquote]
Автор схемы (в ЛС) говорил, что все эти диоды и "диоды" применены для защиты от перегрузок, предотвращения инверсии фазы (при перегрузке).

Я не догадался задать ему этот основной вопрос, - почему КБ-переход, а не диод. Надеюсь, такая возможность представится.
Но, судя по распространённости такого способа защиты, он не единственный носитель знания, может быть и тут кто-нибудь ответит раньше.

[musor]

эти диоды в этой сзхемке если по фэншую ВСЕ должны быть в ЖЕСКОМ тепловом контакте с парными им транзисторами и там выгодне применить корпус то126 и поместить все через прокладки на общий радиатор
а вот внутри микросжем переходы транзюкоф Npn применяют для технологичности -их проше делать в едином цикле фотолитографи чем отделные дискретные диоды а сто применять ЭБ или КБ завсит от напруги дело в том что технологически ЭБ получается зенером на 5-10в (типично ок8в) и если там обратка болше уже применяют КБ в осталных случаях ЭБ предпочтителен

[Express]

Дык это...термостабилизация применяется к переходу БЭ а не к переходу БК так вроде феншуй применяют???

Ой херню спорол...вопрос снимается

Ааа вот тут точно термостабилизация не при чом.
Q13 с дифф. каскадом как завязан?

[Динозавр]

Express, Когда Q12.14 приближаются к насыщению, через Q10.13 ограничивается напряжение в цепях баз.
---Q13 с дифф. каскадом как завязан?---
Отводит в себя ток Q6 , исключая насыщение Q14.

[Express]

[uquote="Динозавр",url="/forum/viewtopic.php?p=4296737#p4296737"]Express, Когда Q12.14 приближаются к насыщению, через Q10.13 ограничивается напряжение в цепях баз.
---Q13 с дифф. каскадом как завязан?---
Отводит в себя ток Q6 , исключая насыщение Q14.[/uquote]

Зачем через диод ограничивать напряжение, например в токовом зеркале тупо перемкнули БК и он спокойнинько удерживается в активном режиме, а тут нафига выпендриваться через диод???

[AlexS4]

опс, незаметил что не запостилось, 504, щас уже почти все написали, но раз уж текст готов - нажму еще разок ))
catBot,
вообще обычно переходы транзисторов применяют чтоб получить какието уникальные отличные от имеющихся диодов свойства
напр коллекторные переходы имеют более низкое напряжение открытия и мягкую ВАХ и бОльшую емкость чем диоды аналогичного размера/мощности/частотных свойств. а эмиттерные наоборот оочень высокое напряжение открытия да еще и с очень резкой ветвью обратного пробоя в области малых токов. часто нужно к напр к эмиттерному переходу транзистора приделать аналогичный переход и кроме как взяв другой такой же транзистор это качественно нерешаемая задача, токовые зеркала например. но "~идентичность" параметров это скорее когда девайсы на 1 кристалле рядом ну или как минимум из одной партии + c хорошим термоконтактом.

в конкретно этом случае разработчику захотелось различные вах переходов Q10-D14 и Q13-D15. это позволит получить напряжение ограничения на коллекторах Q12,Q14 чуть выше или чуть ниже баз (более точно подходить к максимальному ненасыщенному открытию Q12,Q14.

Спойлер

конкретно эта схема кмк похожа на пример "игрового синтеза", когда прикошачивают элементы (почти) наугад, пока в симуляторе не получат чтото приемлемое

[diplodok]

Аналoговые интегральные схемы М.Херпи 1983

[Express]

Капец тут диодов понапихали...
В коллекторах дифф. каскада вообще трешь какой-то...
Я ни чо не понял... Что то я прям диоды недооценивал а они какое-то чудо тут тварят...

[catBot]

Спасибо, Динозавр, AlexS4, diplodok!

[uquote="diplodok",url="/forum/viewtopic.php?p=4296765#p4296765"]Аналoговые интегральные схемы М.Херпи 1983[/uquote]
Смотрел-смотрел в эту таблицу, но так и не смог понять, почему в четвёртой ячейке транзистор нарисован именно так. Я бы его развернул на 180 градусов, иначе он (как мне кажется) не соответствует полярности "образцового диода" вверху...

Правильно ли я понял, - КБ-переходы обеспечивают плавность срабатывания защиты, а диоды D14 и D15 задают уровень сигнала, при котором защита начинает срабатывать. Без дополнительных диодов защита срабатывала бы чуть позже (при большем входном воздействии). Так?

[12943]

Проверил - с любыми транзисторами результат хуже, с некоторыми намного хуже, чем с диодами. Т.е. смысла ноль.
В ИМС совсем другая песня, там ёмкость перехода на порядок меньше.

[Express]

Q12 динамическая нагрузка для Q14, его всего лишь надо удерживать в активном режиме, зачем вокруг него вот эта галиматья из трёх диодов, вот так что нибудь транзистором можно намудрить и не давать уходить ему в насыщение?

[AlexS4]

Q12 динамическая нагрузка для Q14

под динамической нагрузкой чаще подразумевают неуправляемую сигналом нагрузку, просто имеющую вах отличную от резистора, классика например это генератор тока.

здесь же скорее двухтактная схема, управляемая диф каскадом.

Проверил - с любыми транзисторами результат хуже

здесь остается вопрос адекватности модели по вах коллекторного перехода, встречал модельки писанные левой ногой у которых эмиттер и коллектор не различались в этом смысле. также нередко неадекватны обратные ветви вах для эмиттеров, те кто делают копипэйст для расширения библиотек невсегда понимают как ведет себя натуральный транзистор в необычных режимах

не соответствует полярности "образцового диода" вверху...

там еще явная ошибка в последней правой колонке для коллекторного перехода (вероятное число ~0.65)

Правильно ли я понял, - КБ-переходы обеспечивают плавность срабатывания защиты, а диоды D14 и D15 задают уровень сигнала, при котором защита начинает срабатывать. Без дополнительных диодов защита срабатывала бы чуть позже (при большем входном воздействии). Так?

несовсем, без доп диода D14 или D15 защита вообще не будет работать с большой вероятностью для многих типов транзисторов, она будет надежно работать только при низковольтном шоттки диоде с коллектора на базу (или с германиевым диодом). шоттки для таких целей это классика см ттлш .

[12943]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4296973#p4296973"]здесь остается вопрос адекватности модели по вах коллекторного перехода,также нередко неадекватны обратные ветви вах для эмиттеров,[/uquote]
Параметры инверсного режима являются одними из основных, поэтому никаких вопросов по коллекторному переходу нет и быть не может.
Пробой эмиттерного перехода не отражается в моделях в связи с ненужностью этого режима и огромным разбросом напряжения пробоя.